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碳化硅mosfet驱动芯片大幅提升使用效率

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发表于 2020-11-26 07:31:10 | 显示全部楼层 |阅读模式


近年来,碳化硅器件的实际工程应用,正在受到越来越广泛的关注。主要原因是相对于传统器件,碳化硅mosfet驱动芯片无论性能或者损耗,都有明显的减小。

安森美半导体最近推出 NVMFS015N10MCL单N沟道功率的碳化硅mosfet驱动芯片,采用高效的紧凑型设计,具有较高散热功能,通过高效散热,大幅提升芯片的使用寿命。不断通过设计改革,提高产品自身质量,并且相对其他品牌同类产品的使用寿命,也有大幅提升。

为了降低损耗,NVMFS015N10MCL采用了低RDS(on)值,最大限度的降低了导通损耗,同时还应用低栅极电荷 (QG)/电容,可将驱动器损耗降到最低。通过降低耗损,提高了使用效益,也可以增加安全性能。



这样,NVMFS015N10MCL碳化硅mosfet驱动芯片无论是耗损,还是使用寿命,都有大幅提高,能充分满足现在器件的使用要求。对于安全方面,提升了抗干扰性,对安全保护功能有所加强,同时也符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。

碳化硅mosfet驱动芯片的应用已经非常广泛,比较典型的运用包括开关电源,电机控制的电源开关,电磁阀驱动器中的反向电池保护等方面。由于其良好的性能和较低的价格,也会将在更多的领域得到运用。

相信在未来的碳化硅器件使用过程中,mosfet驱动芯片的使用频率会逐渐增加,使用效率也会大幅提高。产品将被广泛运用,被更多人所关注和青睐。
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